该标准由中国科学技术大学物理学院和微尺度物质科学国家研究中心的丁泽军团队主导制定，是半导体线宽测量方面的首个国际标准，也是半导体检测领域由中国主导制定的首个国际标准，该标准的发布有助于促进半导体评测技术的发展，并提升我国在半导体行业的国际影响力和竞争力。
丁泽军团队长期从事电子束与材料相互作用领域里的基础研究，发展了目前国际上最为先进的用于扫描电子显微术和表面电子能谱学的Monte Carlo模拟计算方法，结合NIST研究团队提出的“基于模型数据库”（MBL）方法，提出了该“基于测长扫描电镜的关键尺寸评测方法”的ISO国际标准（IS）。
标准文档指定利用CD-SEM成像表征刻蚀线宽的结构模型及其相关参数、Monte Carlo模拟模型和成像扫描线计算方法、MBL数据库构造方法和文件格式、图像匹配拟合程序和CD参数定值法。与传统的经验阈值方法相比，该测量方法能够给出准确的CD值，并且把线宽测量从单一参数扩展到包含结构形貌特征的信息，适用于如晶圆上的栅极、光掩模、尺寸小至10nm的单个孤立的或密集的线条特征图案，这不仅为半导体刻蚀线宽的CD-SEM准确评测确定了行业标准，也为一般性纳米级尺寸的其它测量法提供了参考。
该研究团队自2011年始，在973项目“纳米测量技术标准的基础研究”课题“基于SEM的纳米测长模型”的研究成果基础上，于2014年在ISO/TC202/SC4做了新标准项目提案报告，2015年递交投票新标准项目提案，2016年5月投票通过予以国际标准（IS）正式立项。该标准草案先后经历了四轮成员国投票，于2019年9月27日终轮投票通过，标准现已正式出版
参与该标准相关研究和制定工作的团队主要成员为：邹艳波（现新疆师范大学）、李永钢（现中科院合肥物质科学研究院）、李会民（现中科大超级计算中心）。上述研究得到了科技部973项目、国家自然科学基金委和中科大超算中心的支持。