本标准规定了半导体器件保护用熔断体的额定值、正常使用下的温升、耗散功率、时间-电流特性、分断能力、截断电流特性、I<上标2>t特性、电弧电压特性、试验和标志。
本标准适用于交流额定电压不超过1200V或直流额定电压不超过1500V的电路中具有半导体器件的设备上使用的熔断体。
注：①在多数情况下，以组合设备的一部分作为熔断体的底座。由于设备种类繁多，难以作出一般的规定。组合设备是否适合用作熔断体的底座，应由用户与制造厂协商。但是，当采用独立的熔断器底座或支持件时，则它们应符合GB13539.1的有关规定。
②这种熔断体通常称为“半导体熔断体”。