三星电子宣布，三星先进技术研究院(SAIT)联合蔚山国家科学技术院(UNIST)、英国剑桥大学，发现了一种全新的半导体材料“无定形氮化硼”(amorphous boron nitride)，简称a-BN，有望推动下一代半导体芯片的加速发展。

       近年来，三星 SAIT一直在研究二维(2D)材料具有单原子层的晶体材料的研究和开发。具体而言，该研究所一直致力于石墨烯的研究和开发，并在该领域取得了突破性的研究成果，例如开发新的石墨烯晶体管以及生产大面积单晶晶片的新方法。石墨烯。除了研究和开发石墨烯外，SAIT还致力于加速材料的商业化。

       “为了增强石墨烯与基于硅的半导体工艺的兼容性，应在低于 400°C 的温度下在半导体衬底上进行晶圆级石墨烯生长。” SAIT的石墨烯项目负责人兼首席研究员 Shin Hyeon-Jin Shin 表示。“我们还在不断努力，将石墨烯的应用范围扩展到半导体以外的领域。”

       新发现的材料称为无定形氮化硼(a-BN)，由具有非晶分子结构的硼和氮原子组成。尽管非晶态氮化硼衍生自白色石墨烯，其中包括以六边形结构排列的硼和氮原子，但实际上 a-BN 的分子结构使其与白色石墨烯具有独特的区别。

       无定形氮化硼拥有无固定形状的分子结构，内部包含硼原子、氮原子。它源自白石墨烯，后者也有硼原子、氮原子，不过是六边形结构，无定形氮化硼则与之截然不同。

       无定形氮化硼具有 1.78 的同类最佳的超低介电常数，具有强大的电气和机械性能，可以用作互连隔离材料以最大程度地减少电干扰，还证明了该材料可以在仅 400°C 的低温下以晶圆级生长。因此，预计无定形氮化硼将广泛应用于诸如 DRAM 和 NAND 解决方案的半导体，尤其是在用于大型服务器的下一代存储器解决方案中。

       据了解到，SAIT副总裁兼无机材料实验室负责人Park Seongjun Park表示：“最近，人们对2D材料及其衍生的新材料的兴趣不断增加。但是，将材料应用于现有的半导体工艺仍然存在许多挑战，我们将继续开发新材料来引领半导体范式的转变。”

       三星表示，无定形氮化硼的介电常数非常之低，只有区区1.78，同时又有很强的电气和力学属性，作为一种互连隔绝材料可以大大减少电子干扰，而且只需400℃的超低温度，就能成长到晶圆级别尺寸。

       三星认为，无定形氮化硼有望广泛应用于DRAM内存、NAND闪存的制造，特别适合下一代大规模服务器存储解决方案。