IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor），绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点。GTR饱和压降低，载流密度大，但驱动电流较大；MOSFET驱动功率很小，开关速度快，但导通压降大，载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点，驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT按缓冲区的有无来分类，缓冲区是介于P+发射区和N-飘移区之间的N+层。无缓冲区者称为对称型IGBT，有缓冲区者称为非对称型IGBT。因为结构不同，因而特性也不同。非对称型IGBT由于存在N+区，反向阻断能力弱，但其正向压降低、关断时间短、关断时尾部电流小；与此相反，对称型IGBT具有正反向阻断能力，其他特性却不及非对称型IGBT。目前商品化的IGBT单管或模块大部分是非对称型IGBT。
构成本土IGBT市场需求主体主要为智能电网、高铁建设、电机节能与家电节能这四大领域。中国在智能电网与高铁建设领域拥有国际领先技术，这些领域对IGBT国产化需求迫切，而这种国产化突破更包含了IGBT技术的突破（该领域IGBT技术壁垒最高）。家电节能以空调、冰箱与洗衣机为主，这些领域中国家电企业已经具备一定的国际竞争力，更为IGBT国产化扫清了认知障碍。因此，庞大的市场基础与需求方对IGBT技术国产化的迫切需求共同推动中国本土企业的技术创新，加速我国IGBT国产化进程：
据美国半导体行业协会统计数据：2015年12月，全球半导体产业销售额为276.2亿美元，较上年同期的291.3亿美元下降4.4%；2015年1-12月全球半导体产业销售额达到3335.2亿美元，同比下降0.2%。
2007-2014年全球半导体产业销售额
资料来源：美国半导体行业协会
IGBT的工业应用包括交通控制、功率变换器、工业电机、不间断电源、风电与太阳能设备，以及用于自动控制的变频器。在消费方面，IGBT用于家用电器、相机和手机等。
据Infineon统计：2010年全球IGBT市场规模为30.06亿美元，2011年全球IGBT市场规模激增至40.34亿美元，增速达34%。当中Infineon公司IGBT销售业务从2010年的6.1亿美元上升至2011年的7.8亿美元。2012-2013年全球IGBT市场规模下滑较为明显，2014年全球IGBT市场规模回升至38.45亿美元，2015年全球IGBT市场规模回落至36.21亿美元。
2010-2015年全球IGBT市场规模统计
