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微纳加工技术简介及方法
时间:2019-03-16 13:29  浏览:461
   微纳加工主要是指在很小或很薄的工件上进行小孔、微孔、微槽、微复杂表面的加工。例如对半导体表面进行磨削、研磨和抛光属超精密加工;而在其上刻制超大规模集成电路,则属于微纳加工技术。微纳加工技术是由微电子技术、传统机械加工、非传统加工技术或特种加工技术衍生而来的。按其衍生源的不同,可将微纳加工分为:由硅平面技术衍生的微纳加工——微蚀刻加工;由特种加工技术衍生的——微纳特种加工。
 
  以下是几种微纳加工技术的介绍:
 
  1、光学曝光技术:利用光致抗蚀剂(或称光刻胶)感光后因光化学反应而形成耐蚀性的特点,将掩模板上的图形刻制到被加工表面上。
 
  2、电子束曝光技术:利用某些高分子聚合物对电子敏感而形成曝光图形的,是光刻技术的延伸。
 
  3、聚焦离子束加工技术:利用电透镜将离子束聚焦成非常小尺寸的显微加工仪器,通过荷能电子轰击材料表面,实现材料的剥离沉积注入和改性。现在先进的FIB系统为双束,即离子束加电子束(FIB+SEM)的系统。在SEM微观成像实时观察下,用离子束进行微加工。除了可进行传统微纳结构刻蚀外,还可实现离子束清洗、材料表面抛光和材料减薄等功能,还可实现化学辅助离子束刻蚀(CAIBE)与反应离子束刻蚀(RIBE)
 
  4、激光加工技术:激光干涉技术、激光干涉图案化制备纳米结构
 
  (1)双光束激光干涉法制备图案化ZnO纳米棒阵列:基于双光束激光干涉技术,采用三种曝光模式,加工出三种不同类型的光刻胶模板;模板的排列方式决定图案化ZnO纳米棒阵列的排列方式,模板取向会进一步影响图案化ZnO纳米棒阵列的形貌;在GaN和Si两种基底上,分别制备了图案化ZnO纳米棒阵列,生长时间越长,阵列高度越高,且阵列单元的间隙越窄。
 
  (2)三光束激光干涉法制备图案化ZnO纳米棒阵列:基于三光束激光干涉技术,单次曝光,即可快速生成大面积六角排列的光刻胶孔洞模板;通过改变激光的入射角度θ,实现了孔洞模板和图案化ZnO纳米棒阵列在周期尺寸上的精确调控,理论调控范围为几个λ到2λ/3;借助水溶性顶部抗反射层技术,改善了模板表面的亲水性,减少了残胶颗粒的数目,显著提高了图案化ZnO纳米棒阵列的大面积均匀性。
 
  5、纳米压印技术:纳米压印是一种全新的纳米图形复制方法。其特点是:超高分辩率、高产量、高保真度、低成本。最基本的程序包含两个主要步骤:图形复制(imprint)、图形转移(patterntransfer)(“复制”是纳米压印最本质步骤。)包括热压印技术、紫外纳米压印技术、气压辅助纳米压印技术、激光熔融纳米压印技术和静电辅助纳米压印技术。目前仍面临的问题为施压、分离和转移介质。
 
  6、刻蚀技术:刻蚀由三步组成:(1)反应剂扩散;(2)与表面膜发生反应;(3)反应物从表面移走。包括干法刻蚀和湿法刻蚀。干法:气态等离子体中,发生物理或化学反应,亚微米尺寸;湿法:液态化学试剂中,发生化学反应,尺寸大于3微米。
 
  7、沉积技术:物理气相沉积、化学气相沉积、分子束外延,原子束外延、磁控溅射等。
 
  8、自组装加工:不需要人干预,能自发的将各个结构单元组织成各种结构图案的方法。可分为静态自组装与动态自组装。静态自组装:在全部或局部范围内平衡的体系,它不需要消耗能量。如原子、离子和分子晶体,相分离和离子层状聚合物,胶质晶体,流体自组装等;动态自组装必须在系统消耗外界能量的情况下才能发生,如生物细胞,细菌菌落,蚁群,鱼群,气象图,太阳系,星系等。纳米技术时代随加工尺度缩小传统纳米加工技术成本越来越高这时分子自组装加工技术越来越显示出优越性,受到业界关注。根据结构单元的尺寸范围将静态自组装分为三类:分子自组装、纳米结构单元自组装(纳米粒子自组装)和介观或宏观尺度结构单元自组装(微元件自组装)。
 
  9、其它特殊技术:扫描探针加工技术、飞秒激光直写
 
  附:
 
  “纳米科学是在纳米尺度(从原子、分子到亚微米尺度之间)上研究物质的相互作用、组成、特性与制造方法的科学。它汇聚了现代多学科领域在纳米尺度的焦点科学问题,促进了多学科交叉融合,孕育着众多的科技突破和原始创新机会。同时,纳米科技对高技术的诞生,对我们的生产、生活也将产生巨大的影响。”这是白春礼院士在中国纳米白皮书中对纳米科学技术做的简介。“国之大器,始于毫末”,微纳加工技术的发展和纳米科协技术的发展关系密切。而刚发行的中国纳米科技发展白皮书也将会给我们纳米科技的发展做出更好的计划。中国纳米科学事业的发展将会有光辉的未来,而在此过程中,微纳加工技术的发展所起到的作用也将是不可估量的。

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