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运用二次离子质谱研究了甚高频等离子体增强化学气相沉积制备的不同硅烷浓度和功率条件下薄膜中的氧污染情况. 结果发现:薄膜中的氧含量随硅烷浓度和功率的变化而改变. 制备的微晶硅薄膜,晶化程度越高薄膜中
的氧含量相对越多. 另外,不同本底真空中的氧污染实验结果表明:微晶硅材料中的氧含量与本底真空有很大的关系,因此要制备高质量的微晶硅材料,高的本底真空是必要条件.
二次离子质谱深度剖面分析氢化微晶硅薄膜中的氧污染
2018-12-07 15:15 浏览:255 下载:19