电子显微镜下的硅柱形貌
历经十年的研究成果
联合小组经过长达十年的研究，重点是采用光刻工艺替代聚焦离子束（FIB）工艺来完成在硅晶圆上的结构制作。FIB虽然可以实现硅晶圆结构，但会对硅表面造成损伤并产生缺陷，硅晶圆开裂的风险较高。
为了找到替代方案，研究团队尝试了一套特殊光刻技术。“首先，我们使用等离子体气体刻蚀硅表面无光刻胶保护的区域，从而获得我们所需的结构——微型硅柱。”该研究小组负责人Jeff Wheeler的学生Ming Cheng解释说，“在接下来的工艺步骤中，硅柱表面被氧化，氧化层厚度小于100 nm，再用氟化氢（HF）完全去除氧化层，完成表面清洁。”
研究团队对硅柱的强度和塑性变形能力进行了测试，称已经达到了超高的弹性应变极限和接近完美的强度——用光刻技术制作的硅柱变形能力是过去研究记录的十倍以上。
左图为硅柱制造流程示意图，右图为电子显微镜下的硅柱形貌展示
在电子显微镜下观察不同直径尺寸的硅柱
实现“绝对纯度”，接近理论水平的坚固度
研究结果表明不仅硅柱的变形能力比过去增强了十倍，强度也达到了以往认知中只有理想晶体才能达到的理论水平。根据Wheeler介绍，硅柱如此坚固的原因来自硅柱表面的“绝对纯度”，这是通过最后的清洁步骤实现的。该工艺大大减少了会导致硅材料开裂的表面缺陷数量。
采用光刻工艺完成的硅柱（实线）和FIB工艺完成的硅柱（虚线）在恒定应变速率为5 × 10⁻⁴ s⁻1变化下的应力曲线对比
Wheeler还指出，团队的研究结果可能会对硅基MEMS制造产生直接而深刻的影响：“通过这种工艺，有望将智能手机中的MEMS陀螺仪做得更小、更坚固。”
Wheeler及其团队研究的工艺方法已经被业界采用，用于改善现有工艺，以及晶体结构与硅类似的其它材料性能。
该项研究带来的另一个优点是可以改善材料的电性能。对硅施加较大的应力可以改善电子迁移率，将该结构集成到半导体芯片中可以缩短开关时间。