首先来自牛津仪器总经理张鹏先生在欢迎致辞中介绍到，牛津仪器经过20年的飞速发展，目前已在上海建立中国区总部，并在上海、北京、广州设立办事处，经销服务网络遍布全国。牛津仪器还在北京、上海两地建立多个中国演示中心，包括原子力显微镜实验室、NanoScience实验室、纳米分析实验室，能更迅速地为客户提供服务和支持，包括零配件供应、维护保养服务和服务合同、延长保修期计划和延保合同、培训服务、技术服务支持平台、仪器搬家服务、仪器租赁服务等。
来自牛津仪器等离子技术部亚洲区销售和服务副总裁IanWright先生向与会者介绍了牛津仪器等离子技术部的产品介绍。牛津仪器等离子技术部可提供多种单腔和可集成多腔体的高性能工艺设备，支持多类刻蚀和沉积应用。2017-2018年牛津仪器等离子技术收入同比提高了13%；产品订单量提高了25%，其中50%的增长来自亚太区（75%的销量来自中国和台湾地区），IanWright先生表示牛津仪器等离子体技术在2019年还将继续保持增长的趋势。
牛津仪器等离子技术能够为实验室用户提供7000个工艺菜单，产品主要应用于光电子领域。例如iPhone手机3D人脸识别技术，带动起来VCSEL激光器技术在光通讯，3D传感以及无人驾驶雷达领域的飞速发展，牛津仪器在VCSEL产品的刻蚀和沉积方面具有相当高的市场占有率。
此外，手机从2G发展到5G时代，射频滤波器的需求量从几个增长到上百个，呈指数级的增长状态；RFMEMS的能量收集器利用压电材料的特性，从而取得一些神奇的效果。例如通过压电收集器在指甲盖大小的芯片上实现动能和电能之间的能量转换。如何生长和刻蚀这些压电材料，都是牛津仪器未来关注的焦点。IanWright先生还表示牛津仪器也会把这牛津仪器独有的新技术首先成功应用于中国市场，再辐射到全球市场。
来自西安电子科技大学杨凌教授带来题为《三代半导体刻蚀技术的研究进展和未来发展》的报告。报告中，杨教授从等离子体的基础开始，同大家详细介绍了等离子体反应的基本原理；并介绍了其实验室在化合物半导体的干法刻蚀、介质/钝化层刻蚀技术、背通孔快速刻蚀技术的研究成果。
报告中，杨教授指出中性粒子刻蚀（NBE）是目前等离子体刻蚀技术的发展趋势，该技术刻蚀后表面更光滑与栅金属之间的界面更清晰，采用NBE技术的器件开启电阻明显减小，器件栅极泄露电流明显降低，开关比提高了三个量级。
最后，杨教授表示西安电子科技大学宽带隙半导体技术重点实验室作为我国在三代半导体领域的先导技术研制中心，希望今后能够跟牛津仪器展开深度的合作，共同研发出示范的样本，带动我国三代半导体刻蚀技术的发展。
中国电子科技集团重庆声光电有限公司首席专家马晋毅博士为大家介绍了5G时代射频微波滤波器的应用与发展。
研讨会期间，来自牛津仪器等离子技术首席工程师邓丽刚博士和牛津仪器等离子技术科技部经理黄承扬博士为大家介绍牛津仪器等离子技术的具体应用。包括光学器件中InP刻蚀工艺、功率半导体器件制造中氮化镓，砷化镓以及碳化硅刻蚀面临的挑战、VCSEL制造的等离子解决方案以及深硅刻蚀在MEMS和TSV中的应用。
牛津仪器中国区总经理张鹏表示牛津仪器始终专注于与客户展开广泛长期的合作，例如设立奖学金、同用户一起进行新产品技术的研发、建立合作实验室、召开技术应用研讨会。牛津仪器每个事业部都会定期组织各类主题的技术交流会，几乎每周都会举办，这也成为牛津仪器在中国一大特色。据了解牛津仪器即将和中科大一起联合组织一系列大型研讨会，更加偏向于应用和学术交流，努力为国内科研专家搭建学术交流的平台。