硅漂移探测器（SiliconDriftDetector，简称SDD）是半导体探测器的一种；

    用来探测X射线，广泛应用在能量色散型X射线荧光光谱仪（XRF）或者X射线能谱仪（EDS）上。

    XRF合金分析仪使用了大面积的SDD探测器之后，分析速度快速的提高2倍，使得分析数据的稳定性更强。

    SDD探测器的突出特点有：

    1.高计数率。

    由于收集阳极的电容极低，相比通常的硅PIN器件，SDD具有更短的上升时间，因而特别适合在高计数率的情况下工作。

    2.高能量分辨率。

    SDD的阳极面积小于通常硅PIN器件，由于电容的减小，在收集等量电荷的情况下具有更高的电压，提高了其能量分辨率。

    3.可在常温下工作。

    SDD的电容和漏电流要比一般探测器小两个数量级以上，通常把场效应管（FET）和Peltier效应器件都整合到一起；

    这样仪器在常温下就能满足SDD的制冷需求，特别适用于便携式设备的现场使用。

    根据国家地质实验测试中心的报告，SDD探测器从1962年以Si探测器问世以来，Si-PIN、高纯及四叶花瓣型Ge探测器、Si漂移、SDD等不同性能的探测器，SDD探测器在计算数与制造工艺的稳定性方面取得突破，从而替代复杂的波长色散X射线光谱仪的Si-pIN探测器。